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F1076 参数 Datasheet PDF下载

F1076图片预览
型号: F1076
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 42 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F1076
POUT VS PIN GRAPH
F1076引脚VS噘F = 500MHZ ; IDQ = 0.4A ; VDS = 28.0V
电容VS电压
F1B 1裸片电容VS的Vds
14
100
60
收益
50
13
科斯
西塞
40
12
30
11
10
CRSS
20
10
10
9
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
0
5
10
15
以伏VDS
20
25
30
PIN (瓦)
IV曲线
F1B 1DIE IV曲线
6
ID和GM VS VGS
F1B 1 DIE GM & ID VS VG
10
Id
5
4
1
3
2
0.1
1
Gm
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
12
14
16
18
20
0.01
0
2
4
6
8
10
12
14
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
VGS的电压
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com