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F1072 参数 Datasheet PDF下载

F1072图片预览
型号: F1072
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F1072
POUT VS PIN GRAPH
F1072 POUT VS引脚IDQ = 1.2A F = 400 Mhz的VDS = 28V
180
160
140
120
100
10
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
PIN (瓦)
收益
电容VS电压
F1B 3DIE电容
14
1000
收益
13
12
11
100
9
8
效率= 53 %
7
6
25
30
35
40
10
0
5
科斯
西塞
CRSS
10
15
以伏VDS
20
25
30
IV曲线
F1B 3DIE IV曲线
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
ID和GM VS VGS
F1B 3 DIE GM & ID VS VG
100
Id
10
1
Gm
12
14
16
18
20
0.1
0
2
4
6
VGS的电压
8
10
12
14
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com