欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

F1070 参数 Datasheet PDF下载

F1070图片预览
型号: F1070
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号F1070的Datasheet PDF文件第1页  
F1070
POUT VS PIN GRAPH
F- 1070 POUT VS引脚
F = 175 MHZ ; IDQ = 1.6A ; VDS = 28V
250
17
1000
电容VS电压
F1B 4DIE电容
200
POUT (瓦)
收益
16
增益以dB为单位
150
15
科斯
100
西塞
100
14
50
效率= 66.67 %
13
CRSS
0
0
2
4
6
8
10
PIN (瓦)
12
14
16
12
10
0
5
10
15
以伏VDS
20
25
30
IV曲线
F1B 4DIE IV曲线
30
ID和GM VS VGS
F1B 4 DIE GM & ID VS VGS
100
25
Id
20
10
15
10
1
5
Gm
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
12
14
16
18
20
0.1
0
2
4
6
VGS的电压
8
10
12
14
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com