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F1008 参数 Datasheet PDF下载

F1008图片预览
型号: F1008
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F1008
POUT VS PIN GRAPH
F1008 POUT VS引脚IDQ = 0.8A F = 400 Mhz的VDS = 28V
70
60
50
40
30
20
EF网络效率= 50 %
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
PIN (瓦)
收益
电容VS电压
F1B 2 DICE电容
17
1000
收益
16
15
100
14
科斯
西塞
13
12
10
11
10
3
3.5
4
4.5
5
1
0
5
10
15
以伏VDS
CRSS
20
25
30
IV曲线
F1B 2 DICE IV曲线
12
ID和GM VS VGS
F1B 2死GM & ID VS VGS
100
10
8
10
6
Id
4
1
2
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
Gm
12
14
16
18
20
0.1
0
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
2
4
6
8
10
12
14
VGS的电压
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com