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LX501 参数 Datasheet PDF下载

LX501图片预览
型号: LX501
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 43 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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LX501
POUT VS PIN GRAPH
LX501 Pout vs Pin F=500MH z , V D S =28V , Idq=.5A
125
15.00
100
P 1dB=100W
CAPACITANCE VS VOLTAGE
L 5 1 D IE
1000
C A P A C IT A N C E
14.00
Ciss
100
Pout
13.00
75
Gain
50
25
0
0
2
4
6
PIN IN W A TTS
8
10
12.00
11.00
10.00
1
0
5
10
Coss
Efficiency @100W=60%%
Crss
10
15
20
V D S IN V O L T S
25
30
IV CURVE
L5B 1 DIE
30
25
20
ID IN AMPS
ID & GM VS VGS
L 5 B 1 D IE
100
ID , G M v s V G
Id
15
10
5
0
0
vg=2v
2
4
Vg=4v
6
8
10
12
VDS IN VOLTS
Vg=6v
vg=8v
14
16
vg=10v
18
20
vg=12v
10
G
1
0
2
4
gM
VDS=10V
6
8
V g s in V o lts
10
12
14
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
Tolerance .XX +/-0.01
.XXX +/-.005 inches
POLYFET RF DEVICES
REVISION 07/17/2003
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com