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LR401 参数 Datasheet PDF下载

LR401图片预览
型号: LR401
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 38 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号LR401的Datasheet PDF文件第1页  
LR401
POUT VS PIN GRAPH
LR401 Pin vs Pout Freq=500Mhz;
Vds=28Vdc, Idq=.8A
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
Pin in Watts
7
8
9
10
Efficiency @130W = 60%
18
1000
CAPACITANCE VS VOLTAGE
L4 1DIE CAPACITANCE
P1dB = 100W
Pout
17
16
15
100
Ciss
Coss
Gain
14
13
12
10
Crss
1
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLTS
IV CURVE
L4 1 DIE IV
18
16
14
12
ID IN AMPS
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
VDS IN VOLTS
Vg=6v
vg=8v
14
16
18
20
0.1
0
2
4
1
10
100
ID & GM VS VGS
L4 1 DIE
ID, GM vs VG
ID
G
vg=2v
Vg=4v
vg=10v
vg=12v
Vgs in Volts
6
8
10
12
14
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
Tolerance .XX +/-0.01
.XXX +/-.005 inches
POLYFET RF DEVICES
REVISION 04/27/2001
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com