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LP701 参数 Datasheet PDF下载

LP701图片预览
型号: LP701
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 38 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号LP701的Datasheet PDF文件第1页  
LP701
POUT VS PIN GRAPH
LP701 POUT VS PIN Freq=500MHz, VDS=28V, Idq=.2A
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
23
25
27
29
31
PIN IN dBm
33
35
37
39
15.00
14.00
13.00
100
CAPACITANCE VS VOLTAGE
L1B 1DIE CAPACITANCE
Pout
Efficiency = 65%
Gain
Ciss
Coss
10
12.00
11.00
10.00
9.00
1dB compresion = 32W
8.00
7.00
6.00
5.00
1
0
5
10
15
20
25
30
Crss
VDS IN VOLTS
IV CURVE
L1B 1 DIE IV
12
10
ID & GM VS VGS
L1B 1 DIE
ID, GM vs VG
10
ID
8
ID IN AMPS
6
1
GM
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
VDS IN VOLTS
Vg=6v
vg=8v
14
16
18
20
0.1
0
2
4
6
8
Vgs in Volts
10
12
14
vg=2v
Vg=4v
vg=10v
vg=12v
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
Tolerance .XX +/-0.01
.XXX +/-.005 inches
POLYFET RF DEVICES
REVISION 04/27/2001
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com