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L8701P 参数 Datasheet PDF下载

L8701P图片预览
型号: L8701P
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 44 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号L8701P的Datasheet PDF文件第1页  
L8701P
POUT VS PIN GRAPH
L8701P Pin vs Pout Freq=500MHz,
Vds=28Vdc, Idq=.4A
45
20
19
36
18
100
CAPACITANCE VS VOLTAGE
L1B 1DIE CAPACITANCE
Ciss
Coss
10
Pout
27
17
16
15
18
14
Gain
9
13
12
11
0
0.5
1
1.5
Pin in Watts
2
2.5
3
Crss
1
0
5
10
15
20
25
30
Efficiency @30 watts = 55%
0
VDS IN VOLTS
IV CURVE
L1B 1 DIE IV
12
10
ID & GM VS VGS
L1B 1 DIE
ID, GM vs VG
10
ID
8
ID IN AMPS
6
1
GM
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
VDS IN VOLTS
Vg=6v
vg=8v
14
16
18
20
0.1
0
2
4
6
8
Vgs in Volts
10
12
14
vg=2v
Vg=4v
vg=10v
vg=12v
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
Tolerance .XX +/-0.01
.XXX +/-.005 inches
12/12/2001
POLYFET RF DEVICES
REVISION
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com