TISP7072F3 ， TISP7082F3
三重双向晶闸管过电压保护
1994年3月 - 修订2000年3月
电气特性为所有终端对，T
A
= 25 ° C（除非另有说明）
参数
I
DRM
V
（BO）
场外重复峰值
目前状态
击穿电压
测试条件
V
D
= V
DRM
0℃ <牛逼
A
< 70℃
的dv / dt = ± 250 V / ms的，R
来源
= 300
Ω
dv / dt的
≤
± 1000 V / μs的，线性电压斜坡，
V
（BO）
脉冲导通
电压
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
Ø FF-态电流
最大斜坡值= ± 500 V
的di / dt = ± 20 A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值= ± 10 A
I
（BO）
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
的dv / dt = ± 250 V / ms的，R
来源
= 300
Ω
I
T
= ± 5 A，T
W
= 100 µs
I
T
= ± 5 A， di / dt的= +/- 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
= ±50 V
F = 1MHz时，
F = 1MHz时，
F = 1MHz时，
C
关闭
关态电容
F = 1MHz时，
F = 1MHz时，
F = 1MHz时，
（见注4 ）
记
4 ：三端守卫测量，不可测量的端电压偏差为零。第一个五年的电容值，偏置V
D
，是
对于只以R-G和T -G的端子。最后的电容值，与偏压V
DTR
，是为T- R终端。
V
d
= 1 V有效值，V
D
= 0
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -1 V
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -2 V
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -5 V
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -50 V
V
d
= 1 V有效值，V
DTR
= 0
53
56
51
43
25
29
±0.15
±5
±10
69
73
66
56
33
37
pF
±0.1
±0.8
±5
A
V
A
KV / μs的
µA
‘7072F3
‘7082F3
±90
±100
V
‘7072F3
‘7082F3
民
典型值
最大
±10
±72
±82
单位
µA
V
产品
信息
3
POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
