TISP4165H4BJ THRU TISP4200H4BJ ， TISP4265H4BJ THRU TISP4360H4BJ
双向晶闸管过电压保护
1997年11月 - 修订1999年3月
电特性为T和R端子，T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
I
DRM
场外重复峰值
目前状态
V
D
= ±V
DRM
测试条件
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
‘4165
‘4180
V
（BO）
击穿电压
的dv / dt = ± 750 V / ms的，
R
来源
= 300
Ω
‘4200
‘4265
‘4300
‘4360
‘4165
dv / dt的
≤
± 1000 V / μs的，线性电压斜坡，
V
（BO）
脉冲导通
电压
最大斜坡值= ± 500 V
的di / dt = ± 20 A / μs的，线性电流斜坡，
最大斜坡值= ± 10 A
I
（BO）
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
Ø FF-态电流
的dv / dt = ± 750 V / ms的，
R
来源
= 300
Ω
‘4180
‘4200
‘4265
‘4300
‘4360
±0.15
±0.225
±5
T
A
= 85°C
V
d
= 1 V有效值，V
D
= 0,
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -1 V
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -2 V
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -50 V
V
d
= 1 V有效值，V
D
= -100 V
4165 '通' 4200
4265 '通' 4360
F = 100千赫
F = 100千赫
F = 100千赫
F = 100千赫
4165 '通' 4200
4265 '通' 4360
C
关闭
关态电容
4165 '通' 4200
4265 '通' 4360
4165 '通' 4200
4265 '通' 4360
4165 '通' 4200
4265 '通' 4360
80
70
71
60
65
55
30
24
28
22
±10
90
84
79
67
74
62
35
28
33
26
pF
I
T
= ± 5 A，T
W
= 100 µs
I
T
= ± 5 A， di / dt的= +/- 30毫安/ MS
线性电压斜坡，斜坡的最大价值< 0.85V
DRM
V
D
= ±50 V
F = 100千赫
民
典型值
最大
±5
±10
±165
±180
±200
±265
±300
±360
±174
±189
±210
±276
±311
±373
±0.8
±3
±0.8
A
V
A
KV / μs的
µA
V
V
单位
µA
热特性
参数
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
,
R
θJA
结到自由空气的热阻
T
A
= 25 ° C， （见注6 ）
265毫米X 210毫米填充线卡
4层PCB板，我
T
= I
TSM(1000)
, T
A
= 25 °C
记
50
民
典型值
最大
113
° C / W
单位
6 ： EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
产品
信息
3
POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
