TISP3125F3 ， TISP3150F3 ， TISP3180F3
双对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
电特性的T和G或R和G端子，T
J
= 25°C
参数
I
DRM
V
（BO）
V
（BO）
I
（BO）
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
C
关闭
场外重复峰值
目前状态
击穿电压
测试条件
V
D
= ±V
DRM
0° ℃下牛逼
J
＆ LT ; 70℃
的dv / dt = ± 250 V / ms的，
源电阻= 300
Ω
的di / dt < 20 A / μs的
±139†
±164†
±194†
V
源电阻= 50
Ω
的dv / dt = ± 250 V / ms的，
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
Ø FF-态电流
关态电容
源电阻= 300
Ω
I
T
= ± 5 A，T
W
= 100 µs
的di / dt = - / + 30毫安/ MS
线性电压斜坡，
±5
最大斜坡值< 0.85V
（ BR ）分
V
D
= ±50 V
F = 100千赫
V
d
= 100 mV的
V
D
= 0,
V
D
= -50 V
55†
31†
15†
第三终端= -50到+50 V V
D
= -5 V
（见注6及7 ）
±10
95
50
25
55†
31†
15†
±10
95
50
25
55†
31†
15†
±10
95
50
25
µA
pF
pF
pF
±5
±5
KV / μs的
±0.15
±0.15
±0.6
±3
±0.15
±0.15
±0.6
±3
±0.15
±0.15
±0.6
±3
A
V
A
±125
±150
±180
V
TISP3125F3
民
最大
±10
TISP3150F3
民
最大
±10
TISP3180F3
民
最大
±10
单位
µA
脉冲导通电压的dv / dt = ± 1000 V / μs的，
AGE
注： 6这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容7.进一步详情载于应用信息部分。
†的参数，而不是一个限制值的典型值。
热特性
参数
ð包
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
P包
SL包装
民
典型值
最大
160
100
105
° C / W
单位
产品
信息
3
POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
