TISP2240F3 , TISP2260F3 , TISP2290F3 , TISP2320F3 , TISP2380F3
双对称瞬态
电压抑制器
1994年3月 - 修订1997年9月
电特性的T和G或R和G端子,T
J
= 25°C
参数
I
DRM
V
(BO)
V
(BO)
I
(BO)
V
T
I
H
dv / dt的
I
D
C
关闭
场外重复峰值
目前状态
击穿电压
测试条件
V
D
= ±V
DRM
0° ℃下牛逼
J
& LT ; 70℃
的dv / dt = ± 250 V / ms的,
源电阻= 300
Ω
的di / dt < 20 A / μs的
±267†
±287†
±317†
V
源电阻= 50
Ω
的dv / dt = ± 250 V / ms的,
导通电流
通态电压
保持电流
的临界上升率
断态电压
Ø FF-态电流
关态电容
源电阻= 300
Ω
I
T
= ± 5 A,T
W
= 100 µs
的di / dt = - / + 30毫安/ MS
线性电压斜坡,
±5
最大斜坡值< 0.85V
( BR )分
V
D
= ±50 V
F = 100千赫
V
d
= 100 mV的
V
D
= 0,
V
D
= -5 V
V
D
= -50 V
52†
20†
8†
第三终端电压= 0
(见注6及7 )
±10
90
35
15
52†
20†
8†
±10
90
35
15
52†
20†
8†
±10
90
35
15
µA
pF
pF
pF
±5
±5
KV / μs的
±0.15
±0.15
±0.6
±3
±0.15
±0.15
±0.6
±3
±0.15
±0.15
±0.6
±3
A
V
A
±240
±260
±290
V
TISP2240F3
民
最大
±10
TISP2260F3
民
最大
±10
TISP2290F3
民
最大
±10
单位
µA
脉冲导通电压的dv / dt = ± 1000 V / μs的,
AGE
注: 6这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容7.进一步详细信息将在应用信息部分中给出
†的参数,而不是一个限制值的典型值。
电特性为T和R端子,T
J
= 25°C
参数
I
DRM
I
D
C
关闭
场外重复峰值
目前状态
Ø FF-态电流
测试条件
V
D
= ±V
DRM
0° ℃下牛逼
J
& LT ; 70℃
V
D
= ±50 V
F = 100千赫
关态电容
V
d
= 100 mV的
V
D
= 0,
22†
40
22†
40
pF
第三终端电压= 0
(见注4和5)
注: 4。这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。第三终端是
连接到所述桥的保护端子。
在电容5.进一步详情载于应用信息部分。
TISP2320F3
民
最大
±10
±10
TISP2380F3
民
最大
±10
±10
单位
µA
µA
电特性的T和G或R和G端子,T
J
= 25°C
参数
I
DRM
V
(BO)
V
(BO)
场外重复峰值
目前状态
击穿电压
测试条件
V
D
= ±V
DRM
0° ℃下牛逼
J
& LT ; 70℃
的dv / dt = ± 250 V / ms的,
源电阻= 300
Ω
的di / dt < 20 A / μs的
±347†
±407†
V
源电阻= 50
Ω
±320
±380
V
TISP2320F3
民
最大
±10
TISP2380F3
民
最大
±10
单位
µA
脉冲导通电压的dv / dt = ± 1000 V / μs的,
AGE
产品
信息
3