欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

TIP29E 参数 Datasheet PDF下载

TIP29E图片预览
型号: TIP29E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 88 K
品牌: POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
 浏览型号TIP29E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TIP29E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TIP29E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TIP29E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TIP29E的Datasheet PDF文件第6页  
TIP29D , TIP29E , TIP29F
NPN硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
I
C
= 30毫安
(见注5 )
V
CE
= 160 V
V
CE
= 180 V
V
CE
= 200 V
V
CE
= 90 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
5V
4V
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= 0.2 A
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
1A
1A
(见注5和6)
(见注5和6)
(见注5和6)
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
40
15
0.7
1.3
V
V
测试条件
TIP29D
I
B
= 0
TIP29E
TIP29F
TIP29D
TIP29E
TIP29F
120
140
160
0.2
0.2
0.2
0.3
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
h
fe
I
B
= 125毫安
V
CE
=
4V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 0.2 A
I
C
= 0.2 A
|
h
fe
|
注: 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
4.17
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 1 A
V
BE (OFF)的
= -4.3 V
I
B(上)
= 0.1 A
R
L
= 30
I
B(关闭)
= -0.1 A
t
p
= 20微秒,直流
2%
典型值
0.5
2
最大
单位
µs
µs
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2