TIC266系列
硅双向可控硅
1991年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明） （续）
参数
I
L
dv / dt的
dv / dt的
(c)
的di / dt
闭锁电流
的临界上升率
断态电压
关键崛起
整流电压
的临界上升率
在通态电流
V
供应
= +12 V†
V
供应
= -12 V†
V
D
=额定V
D
V
D
=额定V
D
的di / dt = 0.5我
T（ RMS ）
/女士
V
D
=额定V
D
di
G
/ DT = 50毫安/微秒
I
GT
= 50毫安
测试条件
（见注5 ）
I
G
= 0
T
C
= 110°C
T
C
= 80°C
I
T
= 1.4 I
T（ RMS ）
T
C
= 110°C
民
典型值
20
-20
±450
±1
±200
最大
单位
mA
V / μs的
V / μs的
A / μs的
†所有的电压都是相对于主终端1 。
注5：三端双向可控硅通过由具有以下特征的发电机供给的15 -V（开路幅度）脉冲触发：
R
G
= 100
Ω,
t
P（ G）
= 20
µs,
t
r
=
≤
15纳秒， F = 1千赫。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.52
62.5
单位
° C / W
° C / W
典型特征
门极触发电流
vs
外壳温度
1000
TC10AA
门极触发电压
vs
外壳温度
0·1
TC10AB
I
GT
- 栅极触发电流 - 毫安
100
V
GT
- 栅极触发电压 - V
所有象限
0·01
10
1
V
供应
I
GTM
+
+
+
-
-
-
-
+
-40
-20
0
20
40
60
V
AA
= ± 12 V
R
L
= 10
Ω
t
P（ G）
= 20 µs
80
100
120
V
AA
= ± 12 V
R
L
= 10
Ω
t
P（ G）
= 20 µs
0·001
-60
0·1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
图1 。
图2中。
产品
信息
2
POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
