IC PDF资料下载 IC datasheet大全、在线预览-芯三七

GRM033R60J563ME19#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

BAV23

Dual high-voltage switching diodesProduction

测试

0 NEXPERIA

GRM1551X1H5R9BA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

GCQ1555C1H100FB01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

0 MURATA

GCG1555G1H7R6CA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

0 MURATA

作为功率因数矫正转换器(Power Factor Correction: PFC)＋准谐振(Quasi-Resonant: QR)DC/DC转换器的多转换器IC，BM1C102F为所有带插座的产品提供优良的系统。本产品内置650V耐压启动电路／X-Cap放电功能，有助于实现低待机功耗。PFC部采用电压控制方式的临界模式（BCM），可通过Zero Current Detection（ZCD）降低开关损耗和噪声。通过电阻进行零电流检测，因此无需ZCD用辅助绕组，可减少偏置部电路的零件数量，降低损耗。DCDC部采用准谐振方式。此方式实现了软开关，有助于实现低EMI。外接开关MOSFET及电流检测电阻，可实现自由度高的电源设计。轻负载时通过启动脉冲串功能提高效率。内置双系统PFC输出过电压保护功能。内置任意负载的PFC ON/OFF功能，可降低待机功耗。内置丰富的保护功能（VCC过电压保护、外部锁存保护、掉电保护、软启动功能、逐周期过电流限制、过负荷保护等）。

开关软启动脉冲功率因数校正插座转换器

0 ROHM

GCM1555G1H2R2BA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

0 MURATA

GRT1885C1H103JA02#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

0 MURATA

GCG1555G1H8R8DA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

1 MURATA

IMZA120R020M1H

采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极

0 INFINEON