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    PM39LV512-70VCE 参数 Datasheet PDF下载

    PM39LV512-70VCE图片预览
    型号： PM39LV512-70VCE
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512千位/为1Mbit /兆比特/ 4Mbit的3.0伏只CMOS闪存 [512 Kbit / 1Mbit / 2Mbit / 4Mbit 3.0 Volt-only CMOS Flash Memory]
    分类和应用： 闪存内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 20 页 / 87 K
    品牌： PMC [ PMC-SIERRA, INC ]
     浏览型号PM39LV512-70VCE的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PM39LV512-70VCE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PM39LV512-70VCE的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PM39LV512-70VCE的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PM39LV512-70VCE的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PM39LV512-70VCE的Datasheet PDF文件第7页浏览型号PM39LV512-70VCE的Datasheet PDF文件第8页浏览型号PM39LV512-70VCE的Datasheet PDF文件第9页  
    PMC
    引脚说明
    Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
    符号
    A0 - A
    MS(1)
    TYPE
    输入
    描述
    地址输入：对于内存地址的输入。地址是内部
    在写周期期间锁存， WE＃的下降沿。
    芯片使能： CE ＃变低激活设备的内部设计电路的
    设备的操作。 CE＃变高释放器件和开关进
    待机模式以减少电力消耗。
    写使能：激活设备进行写操作。 WE＃为低电平有效。
    输出使能：在读周期控制设备的输出缓冲器。 OE ＃
    为有效低电平。
    数据输入/输出：输入命令/在写周期或输出数据数据
    在一个读周期。在I / O引脚浮到三态时， OE ＃被禁用。
    器件电源
    地
    无连接
    权证＃
    输入
    WE＃
    OE ＃
    I / O0 - I / O7
    V
    CC
    GND
    NC
    注意：
    输入
    输入
    输入/
    产量
    1. A
    MS
    是最显著地址，其中A
    MS
    = A15的Pm39LV512 ， A16为Pm39LV010 ， A17的
    Pm39LV020和A18的Pm39LV040 。
    可编程微电子股份有限公司
    4
    发行日期： 2003年12月修订版： 1.2

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