1
S W¯¯子论理DE -S P S T
GND
1
VOUT
FB
VDD3
R2
820K
VB AT
5
4
+
2
注意：
2 A A B attery 1.5V
Ç onnec泰德以s系列钢板
R4
0R
R3
180K
C 12
4.7uF/16V
R6
60R4
1
-
B TI
b。在TE RŸ
R5
开放
VDD3
2
2
C6
4.7uF/16V
C 13
4.7uF/16V
C 14
10uF/16V
C7
4.7uF/16V
2
J10
2
3
MMB牛逼2222A
C 16
100nF
2
Q2 1
499R
2
J 13
1
R 11
1K
R 10
1K
C 15
100nF
C 18
22nF
C 17
100nF
R9
VDD3
VDD3
C 19
100nF
C 20
100nF
C 21
22onF
EI
ANT ê NNA
L E FT Ç LIC ķ
权证NTE R C LIC ķ
S W4
2
D2
S W5
1
2
ř ES olution焊割ç
普美H B UTT开
P 2_0
P 2_1
P 2_2
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蓝
2
10
28
29
30
DVV ð
DVV ð
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DVV ð
DC OUP L
D3
MOUS ê _B UT TON
1
2
S W3
2
MOUS ê _B UTT开
1
ř IG HT C L IC ķ
S W2
U4
T I C C 2510
1
1
MO美国的E _B UT TON
AVDD
AVDD
AVDD
AVDD
19
22
25
26
L4
1.2nH
的R F _P
ř F_N
23
24
C25
100pF
L5
12nH
17
19
C26
1pF
C 24
1.8pF
C23
100pF
C 22
1pF
L6
1.2nH
2
1
1
2
C1
1
VDD3
J 12
雾中ê ř _3
R 12
OR
R 13
47K
3
C2
C 10
470pF
3
R7
27K
R8
27K
2
7
无T E ：
R 2 = 8 20kohm V DD = 2 8V
R 2 = 910kohm VDD = 0V 3
R 2 = 1兆欧= 3 3V
L E D I N D I C的Ti 0：N T A B L E ：
I N二C的Ti 0：N
1 0 0 0 C PI
关闭
关闭
0：N 3 S EC
0：N 3 S EC
B李nkin克邻N + 1发E C，关闭4秒权证
B李nkin克邻N + 1发E C，O F F 1秒权证
关闭
关闭
0：N 3 S EC
关闭
关闭
1 6 0 0 C PI （D EFA ULT ）
3 2 0 0 C PI
VDD3
L E D 1 （ PL _0 ）
0：N 3 S EC
L E D 2 （P 1_1 ）
L1
4.7uH
6 0 0 0 C PI
J4
1。·瓦特面糊Y（ 2 2 5 - 2 3 5 V ）
1。·瓦特面糊Y（ <2 。 2 0 V ）
S W1
SW
1
VB AT
U1
T P上S 6的1070
1
2
6
3
VBAT
EN
J7
R 17
OR
R 18
OR
C 29
1.5pF
2.4G赫兹S英格尔ê nded一个ntenna
VDD3
Q3
2
VDD3
VDD3
VDD3
VDD3
14
15
16
4
3
1
36
35
34
33
32
P 1_0 / L E D
P 1_1 / L E D
P 1_2
P 1_3
P 1_4
P 1_5
P 1_6
P 1_7
J1
NTA4151P
Q1
1
A
B
ç OM
1
2
3
P 2_3 / XOS 32_Q2
P 2_3 / XOS C32_Q1
XOS Ç _Q1
XOS Ç _Q2
C8
C9
1uF/10V
100nF
5
6
7
8
9
11
12
P 0_0 /达E S T
P 0_1
P 0_2
P 0_3
P 0_4
P 0_5
P 0_6
21
20
X1
26MHz
1
13
31
- [R （E S） （E T） _N
P 0_7
ř BI AS
摹ND ê XPOS版
27
37
R 16
56K
C 27
22pF
3
C28
22pF
J8
2
J9
2
1
1
10uF/16V
100nF
C4
C3
1
3
5
7
9
10uF/16V
100nF
16
-V （C S） É左
X Y _L为E ř
P INR OW_2X5
J 11
2
4
6
8
10
贺izontal S ·克罗尔（S WITC八）
V AB牛逼
VDD3
C 11
3.3uF/16V
C5
100nF
9
10
12
13
15
14
11
+ VC S É左
VDD5/VDD3
P WR _OP牛逼LAS é ř _NE ñ
NCS
V DD3 / R ê FB
Ø管理信息系统
ř Ë FA
S CLK
VDDIO
MOSI
DG ND
运动
摹ND
8
1
2
3
4
5
6
7
S OC调试/ FLAS ħ
R 14
0R
U3 ADNS -9500
1
J5
2
VDD3
1
J6
2
注意事项：
我们电子跳投世界投资报告é
R 15
0R
B东北黑钙土Ÿ低级别DETEC化
R 14时， R 15关= = E NABL Ë
R 14关，R 15 = =派息能力
性S E NS或P A R牛逼
图6b 。示意图为3V无线鼠标
7
PIXART [ PIXART IMAGING INC. ]
