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型号: PL2211
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内容描述: 300mA低压双噪声LDO [300mA Low Noise Dual LDO]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 461 K
品牌: PICSEMI [ POWER IC LTD. ]
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设计规范网络阳离子
300mA低压双噪声LDO
通过PC板,铜线,和其他性
材料到周围空气中。
在PL2211的GND引脚执行双重功能
提供到地的电连接和
窜热量带走。连接GND引脚到地
采用大垫或地平面。
降噪
为PL2211 ,外部0.01μF旁路电容器
BYP与GND与创新的噪声旁路之间
方案降低输出噪声显着,表现出
输出电压噪声与CBYP = 0.01μF 100μVrms
和COUT = 1μF 。
监管机构的最低压差电压决定
最低可用的电源电压。在电池供电系统,
这就决定了报废的有用电池电压。
由于PL2211采用P沟道MOSFET
晶体管,它们的电压差漏 - 的功能
源的导通电阻(RDS (开) )乘以负载
电流(参见典型特征) 。
PL2211
当从源不使用电池工作时,
改进的电源噪声抑制和瞬态响应
可以通过增加输入的值来实现,并
输出旁路电容器,并通过无源滤波
技术。典型特征表现出PL2211
线路和负载瞬态响应。
输入输出电压差
应用信息
电容的选择和调节器的稳定性
使用1μF电容上的PL2211输入和一个1μF
电容器上输出。大的输入电容值和
较低的ESR提供更好的噪声抑制和线 -
瞬态响应。
降低输出噪声,改善负载瞬态响应,
稳定性和电源抑制使用大
输出电容器。请注意,某些陶瓷介质
呈现大的电容和ESR的变化与
温度。随着介质如Z5U和Y5V ,它
可能有必要使用一个1μF或更大的输出电容
以确保稳定的,在温度低于-10℃。同
X7R或X5R电介质, 1μF足以在所有的工作
温度。稳定Cout的ESR的区域的图
与负载电流显示在典型特征。
使用0.01μF旁路电容BYP低产出
电压噪声。漏电流在进入BYP
针应小于10nA的。
噪声, PSRR和瞬态响应
该PL2211旨在提供超低噪声和
高PSRR ,以及低压降和低静态
电流在电池供电系统。在PL2211 PSRR
为70db在100Hz和60分贝在10kHz (参见上电
电压抑制比主场迎战频率图
典型特征) 。
电源IC公司
1.0版
-6-
www.picsemi.com
2007年3月4日