PL0301-15UZ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PL0301-15UZ
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内容描述：	300毫安，超低噪音，超高速的CMOS LDO稳压器 [300mA, Ultra-Low Noise, Ultra-Fast CMOS LDO Regulator]
分类和应用：	稳压器
文件页数/大小：	12 页 / 410 K
品牌：	PICSEMI [ POWER IC LTD. ]

PL0301

手术

在PL0301是超低噪音，低压差，低

专为静态电流的线性稳压器

空间受限的应用。这些设备可以

供电负荷高达300mA的电流。如图中方框

图中， PL0301由一个高度精确的

带隙铁心，噪声旁路电路，误差放大器，

P沟道晶体管和内部反馈

分压器。在1.0V带隙参考

连接到误差放大器的反相输入端。

误差放大器作比较这与参考

反馈电压，并放大该差。

如果反馈电压低于参考

电压时，通过晶体管栅极被拉低。这

允许更多的电流传递到输出和

增加输出电压。如果反馈

电压过高时，导通晶体管栅极是

拉高，从而允许更小的电流传递到

输出。输出电压反馈通过一个

内部电阻分压器连接到所述

OUT引脚。一个外部旁路电容连接

到BYP降低噪声的输出。另外

块包括一个限流器，在整个温度范围

保护和关断逻辑。

内部P沟道MOSFET

使能输入

该PL0301提供一个高电平有效使能输入

（ EN）引脚，允许开/关控制的调节器的。

的PL0301偏置电流减小到小于

泄漏电流的微安时，它是

关机。使能输入为TTL / CMOS

兼容的门槛，简单的逻辑接口。

当EN为“ H 1'的输出电压的启动上升

时间是135us通常在300毫安输出电流。

EN引脚连接到IN引脚的正常运行。

欠压锁定

当输入电压过低（低于2.0V ）

在PL0301产生一个内部欠压锁定（下

欠压闭锁）信号产生故障信号

和关闭该芯片。这种机制可以保证

从制作虚假的逻辑，由于低输入芯片

供应量。

快速充电模式

该PL0301具有快速充电模块，以获得

引用起来很快被充电BYP

电容器具有非常高的电流的芯片时

出来的关闭。这种快速充电模块

停止充电BYP电容器时

基准达到95 ％，其标称值的和

那么芯片切换的快速充电模式进行

到正常工作模式。

过温保护

过温保护范围总功率

消散在PL0301 。当结

温度超过T

+ = 165℃ ，热

传感器信号的关断逻辑，并关闭

通过晶体管。热传感器接通通

IC的交界处后，再次对晶体管

温度降至20 ℃，从而导致脉冲

产量

中

连续

热过载保护

条件。

热过载保护是设计来保护

的PL0301中的一个故障的情况下。为

持续经营，不超过绝对

TJ的最高结温额定值=

+150°C.

该PL0301设有1Ω （典型值） P沟道MOSFET

通过晶体管。这具有几个优点

在使用PNP传输晶体管类似的设计，

包括更长的电池寿命。所述P沟道MOSFET

不需要的基极驱动，这大大减少了

静态电流。 PNP型稳压浪费

大量的电流差时通

晶体管饱和。他们还利用高基极驱动

在重负载下的电流。该PL0301不

从这些问题受苦，仅消耗90μA

在轻负载和220μA的静态电流

辍学状态。

电流限制

的PL0301包括一个限流器。它监视

输出电流和控制传输晶体管的

栅极电压，以限制下的输出电流

676毫安（典型值）。该输出可以被短路至地

为无限期量，而不会损坏

的部分。

2007年7月

www.picsemi.com

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