PIC6117
800毫安超低压差，
超高速的CMOS LDO稳压器
电气Characterstics
(V
IN
=V
OUT （标称）
+ 1V或2.5V （以较高者为准） ，V
EN
=V
IN，
C
IN
=C
OUT
= 1μF ，我
O
= 1毫安，T
A
= 25 ° C，除非
另有规定）
符号
V
IN
V
DP
I
最大
I
Q
I
G
∆V
LINE
∆V
负载
PSRR
I
LIM
V
IH
V
IL
I
EN
参数
电源电压
输出电压精度
输入输出电压差
最大输出电流
关机静态电流
接地引脚电流（静态）
线路调整的dV
OUT
/ DV
IN
负载调整率
纹波抑制，C
OUT
= 1µF,
C
BYP
= 10nF的，我
负载
= 300毫安
短路电流限制
热关断温度
热关断迟滞
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
逻辑输入电流
关闭退出延时
测试条件
I
O
= 10毫安
I
负载
= 250毫安
I
负载
= 500毫安
I
负载
= 800毫安
连续
V
EN
≤
V
IL
,V
IN
= 3.3V
V
EN
≥
V
IH
, I
OUT
= 0毫安
V
IN
= (V
OUT
+0.5 ）至5.5V ，
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT
+ 0.5V)
10毫安<我
OUT
< 0.8A
F = 100赫兹
F = 10千赫
R
负载
= 0.5Ω, V
IN
= 3.3V
V
IN
= 3.3V
V
IN
= 3.3V
R
负载
= 3Ω,
1nF
≤
C
BYP
≤
0.1µF
民
2.5
-1.0
典型值
0.065
0.130
0.215
800
0.01
310
最大
5.5
+1.0
0.080
0.160
0.265
0.5
645
0.1
单位
V
%
mV
mA
RMS
µA
nA
%/V
%
dB
1000
0.35
65
60
1400
160
20
0.8
2900
1.2
0
90
0.4
0.1
mA
°C
°C
V
V
µA
µS
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