飞利浦半导体
产品speci fi cation
全桥电流驱动垂直挠度
助推器
例子
符号
价值
单位
TDA4866
值从给定的应用
I
德佛罗里达州（最大）
L
德FL线圈
R
德FL线圈
R
m
R
p
R
REF
V
FB
T
AMB
T
德FL线圈
R
日（ J- MB ）
R
th(mb-amb)(1)
V
P
t
flb
P
合计
P
DE “
P
IC
R
日（ TOT ）
T
j(max)(2)
笔记
1. A之间的硅脂层
安装基座和
优化散热器热
性。
2. T
J（下最大）
= P
IC
×
[R
日（ J- MB ）
+ R
日（ MB - AMB ）
] + T
AMB
0.71
5.2
5.4 [= 4.2 +
7% +
∆R(ϑ)]
1 (+1%)
180
1.6
35
+50
+75
4
8
A
mH
Ω
Ω
Ω
kΩ
V
°C
°C
K / W
K / W
为电源电压和功耗计算公式
V
b1
= V
6, 3
+ R
德FL线圈
×
I
DEFL （最大）
−
U’
L
+ R
m
×
I
DEFL （最大）
+ V
4
V
b2
= V
6
+ R
德FL线圈
×
I
DEFL （最大）
+ U’
L
+ R
m
×
I
DEFL （最大）
+ V
4, 3
对于V
b1
＆ GT ; V
b2
: V
P
= V
b1
对于V
b2
＆ GT ; V
b1
: V
P
= V
b2
有：
U’
L
= L
德FL线圈
×
2I
DEFL （最大）
×
f
v
f
v
=垂直偏转频率。
I
DEFL （最大）
P
合计
=
V
P
×
-------------------
+
V
P
×
0.03 A
+
0.1 W
+
V
FB
×
I
FB
-
2
2
1
P
DEFL
=
--
(
R
德FL线圈
+
R
m
) ×
I
DEFL （最大）
-
3
P
IC
=
P
合计
–
P
DEFL
P
IC
=电源IC的功耗
P
DEFL
=功率挠度线圈的损耗
P
合计
=总功率耗散。
计算公式为回扫时间（t
FLB
)
(
R
德FL线圈
+
R
m
) ×
I
DEFL （最大）
-
1
+
------------------------------------------------------------------
L
德FL线圈
V
FB
+
V
7r
–
V
6r
=
--------------------------------
×
ln
----------------------------------------------------------------------------
+
t
FLB （关闭）
-
-
R
德FL线圈
+
R
m
(
R
德FL线圈
+
R
m
) ×
I
DEFL （最大）
1
–
------------------------------------------------------------------
-
V
FB
–
(
V
7f
–
V
6f
)
计算值
8.6
270
3.65
0.9
2.75
12
+83
V
µs
W
W
W
K / W
°C
t
FLB
有：
t
FLB （关闭）
=反激式开关关断时间= 50
µs
此应用程序（T
FLB （关闭）
取决于
V
FB
, I
DEFL （最大）
, L
德FL线圈
和C
SP
).
为了达到良好的噪声抑制R的值如下
p
是
推荐：
建议值
L
德FL线圈
（MH ）
3
6
10
15
R
p
(Ω)
100
180
240
390
1999年6月14日
9
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
