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型号: SI9410DY
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内容描述: N沟道增强模式音响场效晶体管 [N-channel enhancement mode field-effect transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 251 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
Si9410DY
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2:
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 〜150
°C
T
AMB
= 25
°C;
脉冲:T已
p
10 s
T
AMB
= 25
°C;
脉冲: TP
10 s
V
GS
= 10 V ;我
D
= 7 A
V
GS
= 5 V ;我
D
= 4 A
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 3.5 A
典型值
24
30
32
最大
30
7
2.5
150
30
40
50
单位
V
A
W
°C
mΩ
mΩ
mΩ
漏极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 :限制值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
漏极 - 源极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源(二极管的正向)直流(DC )笔
AMB
= 25
°C;
脉冲: TP
10 s
T
AMB
= 25
°C;
脉冲: TP
10 s;
图2
3
T
AMB
= 70
°C;
脉冲: TP
10 s;
图2
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
10
µs;
科幻gure 3
T
AMB
= 25
°C;
脉冲: TP
10 s;
图1
T
AMB
= 70
°C;
脉冲: TP
10 s;
图1
条件
T
j
= 25 〜150
°C
−55
−55
最大
30
±20
7
5.8
30
2.5
1.6
+150
+150
2.3
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 08238
©飞利浦电子公司2001年版权所有。
产品数据
牧师02 - 2001年7月5日
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