飞利浦半导体
产品speci fi cation
双平衡混频器和振荡器
SA602A
振荡器能够在维持超过200MHz的振荡
晶体或调整箱配置。操作的上限是
由坦克“ Q”和所需的驱动电平来确定。越高
罐的“Q”或更小的要求的驱动，较高的
允许的振荡频率。如果所需的LO是超出了
振荡范围，或对外部LO的系统调用，所述外部
信号可以在引脚6通过一隔直流电容器被注入。
外部LO应至少200mV的
P-P
.
的身影7示出了几个经过验证的振荡器电路中。的身影7a中是
适用于蜂窝无线。如图所示，一个泛音模式
操作被利用。电容器C3和电感器L1抑制
振荡的晶体基频。在基本
模式下，抑制网络被省略。
图8示出的Colpitts变容管调谐振荡的振荡器适合于
合成器控制的应用程序。它缓冲是很重要的
该电路的输出，以保证开关尖峰从第一
计数器或分频器最终不会在振荡器的频谱。该
双栅极MOSFET，可提供最佳的隔离的低电流。
在FET提供了良好的隔离，简单性和较低的电流，而
双极型晶体管提供了简单的解决方案用于非关键
应用程序。电阻分压器的射极跟随器电路
应选择提供最小输入信号，该信号将
确保正确的系统操作。
在100MHz以上工作时，振荡器可能不会如Q开始
罐太低。一个22kΩ的电阻从脚7地上会
增加振荡器晶体管的DC偏置电流。这
提高了晶体管的交流工作特性和
应该帮助振荡器启动。一个22kΩ电阻器不会打乱
其他的直流偏置器件内部，但更小的电阻
应该避免的值。
0.5〜 1.3μH
22pF
5.5µH
V
CC
6.8µF
100nF
10nF
1nF
10pF
34.545MHz第三泛音晶体
8
7
6
5
150pF
产量
602A
1.5〜
44.2µH
330pF
120pF
1
47pF
输入
220pF
100nF
0.209至0.283μH
2
3
4
SR00070
图3.测试配置
1997年11月7日
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
