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    SA571N 参数 Datasheet PDF下载

    SA571N图片预览
    型号： SA571N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 扩 [Compandor]
    分类和应用： 电信集成电路电信电路光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 147 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号SA571N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SA571N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SA571N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SA571N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SA571N的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SA571N的Datasheet PDF文件第9页浏览型号SA571N的Datasheet PDF文件第10页浏览型号SA571N的Datasheet PDF文件第11页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    扩
    SA571
    I
    C1
    I
    C2
    增益误差（ dB）的
    INPUT =为0dBm
    0
    –20dBm
    +
    I
    C4
    I
    C3
    +
    I
    1
    )
    I
    IN
    I
    1
    *
    I
    IN
    再加上我的关系
    G
    =I
    C3
    +I
    C4
    我
    OUT
    =I
    C4
    -I
    C3
    将产生的
    乘法器传递函数
    I
    OUT
    +
    I
    G
    I
    1
    I
    IN
    +
    V
    IN
    I
    G
    R
    2
    I
    1
    3
    –40dBm
    该方程是线性的，对温度不敏感，但它假定
    理想的晶体管。
    10k
    1MEG
    频率（Hz）
    4
    V
    OS
    =为5mV
    SR00686
    3
    4mV
    ％ THD
    2
    3mV
    2mV
    1
    1mV
    .34
    –6
    0
    +6
    图12.整流器频率响应与输入电平
    可变增益单元
    图13是可变增益单元的示意图。这是一个线性
    二象限的跨导乘法器。 Q
    1
    , Q
    2
    和运算放大器
    提供用于增益控制对中，Q一预失真驱动信号
    3
    和
    Q
    4
    。增益由我控制
    G
    和电流镜提供
    输出电流。
    运算放大器保持Q的基极和集电极
    1
    在地面
    电位（V
    REF
    ）通过控制Q的基极
    2
    。输入电流I
    IN
    (=V
    IN
    /R
    2
    因此）被强制流过Q
    1
    随着电流I
    1
    ,
    所以我
    C1
    =I
    1
    +I
    IN
    。由于我
    2
    已被设定为I的值的两倍
    1
    中，
    电流通过Q
    2
    是：
    I
    2
    -(I
    1
    +I
    IN
    )=I
    1
    -I
    IN
    =I
    C2
    .
    运算放大器也因此被迫Q之间的线性电流摆动
    1
    和
    Q
    2
    通过提供适当的驱动，以Q的基极
    2
    。该驱动信号
    将线性为小信号，但是很非线性对大的信号，
    因为它补偿了非线性差分对，
    Q
    1
    和Q
    2
    大信号条件下进行。
    V+
    I
    1
    140µA
    输入电平（dBm ）
    SR00688
    图14 。
    ∆G
    单元失真VS失调电压
    如果晶体管不完全匹配，一个抛物面，非线性
    产生，这导致在二次谐波失真。图14
    给出一个指示所述畸变的大小所引起的一个
    给定的输入级和偏置电压。失真是线性
    成比例的偏移量的大小和所述输入电平。
    增益单元的饱和发生在+ 8dBm的水平。在标称
    0dBm的经营水平，一个1mV的偏移会产生第二次的0.34 ％
    谐波失真。大多数电路是有些比这更好的，
    这意味着我们的整体偏移量通常约为毫伏。该
    失真不会受增益控制的幅度
    电流，而且它并不增加随着增益而变化。这
    二次谐波失真可以通过采用更好的被淘汰
    晶体管，但由于这将是困难的，我们不得不求助于
    其它方法。一个微调引脚已经提供了允许的微调
    内部偏移到零，从而有效地消除了
    二次谐波失真。图15示出了简单的修整
    网络所需。
    图16示出的噪声性能
    ∆G
    细胞。该
    出现削波前最大输出电平增益细胞
    随着一个20kHz的带宽输出噪声绘制。注意
    该噪声降低的增益减小增益的第一20分贝
    减少。在高增益时，信号噪声比是90分贝，并且
    总的动态范围，从最大信号到最小噪声是
    110dB.
    V
    CC
    R
    2
    20k
    Q
    1
    V
    IN
    I
    IN
    Q
    2
    Q
    3
    Q
    4
    I
    2
    (= 2I
    1
    )
    280µA
    V–
    I
    I
    G
    注意：
    我伏在
    G
    G
    I
    +
    I
    +
    OUT
    我1
    I2 R2
    R
    SR00687
    6.2k
    图13.简化
    ∆G
    细胞示意图
    的关键电路是这同一预失真驱动器的信号是
    施加给增益控制对中，Q
    3
    和Q
    4
    。当两个差分
    成对的晶体管具有相同的信号施加，其集电极
    电流的比率将是幅度相同而不管
    电流。这给我们：
    要THD修剪
    3.6V
    20k
    ≈200pF
    SR00689
    图15. THD修剪网络
    7
    1997年08月14日

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