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PZT2907A 参数 Datasheet PDF下载

PZT2907A图片预览
型号: PZT2907A
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内容描述: PNP开关晶体管 [PNP switching transistor]
分类和应用: 晶体开关晶体管IOT
文件页数/大小: 8 页 / 50 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
PZT2907A
价值
106
25
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件,请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
−50
V
I
E
= 0; V
CB
=
−50
V ;牛逼
AMB
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
−5
V
I
C
=
−0.1
毫安; V
CE
=
−10
V
I
C
=
−1
毫安; V
CE
=
−10
V
I
C
=
−10
毫安; V
CE
=
−10
V
I
C
=
−150
毫安; V
CE
=
−10
V ;注1
I
C
=
−500
毫安; V
CE
=
−10
V ;注1
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
C
=
−150
毫安;我
B
=
−15
毫安;注1
I
C
=
−500
毫安;我
B
=
−50
毫安;注1
I
C
=
−150
毫安;我
B
=
−15
毫安;注1
I
C
=
−500
毫安;我
B
=
−50
毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
−10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
−2
V ; F = 1 MHz的
I
C
=
−50
毫安; V
CE
=
−20
V;
F = 100 MHz的;注1
I
CON
=
−150
毫安;我
BON
=
−15
毫安;
I
B关
= 15毫安
75
100
100
100
50
200
分钟。
马克斯。
−10
−10
−50
300
−400
−1.6
−1.3
−2.6
8
30
mV
V
V
V
pF
pF
兆赫
单位
nA
µA
nA
( 10%至90%的水平)的切换时间;
(见图2)
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
1.脉冲测试:吨
p
300
µs; δ ≤
0.02.
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
40
12
30
365
300
65
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1999年04月14
3