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    PMBT2907A 参数 Datasheet PDF下载

    PMBT2907A图片预览
    型号： PMBT2907A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP开关晶体管 [PNP switching transistors]
    分类和应用： 晶体开关小信号双极晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 49 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号PMBT2907A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PMBT2907A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PMBT2907A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PMBT2907A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PMBT2907A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PMBT2907A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号PMBT2907A的Datasheet PDF文件第8页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    PNP开关晶体管
    热特性
    符号
    R
    日J-一
    记
    1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
    特征
    T
    j
    = 25
    °C
    除非另有规定ED 。
    符号
    I
    CBO
    参数
    集电极截止电流
    PMBT2907
    PMBT2907A
    集电极截止电流
    PMBT2907
    PMBT2907A
    I
    EBO
    h
    FE
    发射极截止电流
    直流电流增益
    PMBT2907
    PMBT2907A
    直流电流增益
    PMBT2907
    PMBT2907A
    直流电流增益
    PMBT2907
    PMBT2907A
    直流电流增益
    直流电流增益
    PMBT2907
    PMBT2907A
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    C
    c
    C
    e
    f
    T
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    基射极饱和电压
    集电极电容
    发射极电容
    跃迁频率
    I
    C
    =
    −150
    毫安;我
    B
    =
    −15
    mA
    I
    C
    =
    −500
    毫安;我
    B
    =
    −50
    mA
    I
    C
    =
    −150
    毫安;我
    B
    =
    −15
    mA
    I
    C
    =
    −500
    毫安;我
    B
    =
    −50
    mA
    I
    C
    =
    −150
    毫安; V
    CE
    =
    −10
    V
    I
    C
    =
    −500
    毫安; V
    CE
    =
    −10
    V
    I
    C
    =
    −10
    毫安; V
    CE
    =
    −10
    V
    I
    C
    =
    −1
    毫安; V
    CE
    =
    −10
    V
    I
    C
    = 0; V
    EB
    =
    −5
    V
    I
    C
    =
    −0.1
    毫安; V
    CE
    =
    −10
    V
    条件
    I
    E
    = 0; V
    CB
    =
    −50
    V
    参数
    从结点到环境的热阻
    PMBT2907 ; PMBT2907A
    条件
    注1
    价值
    500
    单位
    K / W
    分钟。
    −
    −
    马克斯。
    −20
    −10
    −20
    −10
    −50
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    300
    −
    −
    −400
    −1.6
    −1.3
    −2.6
    8
    30
    −
    单位
    nA
    nA
    µA
    µA
    nA
    I
    E
    = 0; V
    CB
    =
    −50
    V ;牛逼
    j
    = 125
    °C
    −
    −
    −
    35
    75
    50
    100
    75
    100
    100
    30
    50
    −
    −
    −
    −
    −
    −
    200
    mV
    V
    V
    V
    pF
    pF
    兆赫
    I
    E
    = i
    e
    = 0; V
    CB
    =
    −10
    V ; F = 1 MHz的
    I
    C
    = i
    c
    = 0; V
    EB
    =
    −2
    V ; F = 1 MHz的
    I
    C
    =
    −50
    毫安; V
    CE
    =
    −20
    V ; F = 100 MHz的
    1999年04月27
    3

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