PHC2300-T 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PHC2300-T
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内容描述：	[TRANSISTOR 340 mA, 300 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, MS-012, SOP-8, FET General Purpose Small Signal]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	16 页 / 161 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

互补增强模式

MOS晶体管

PHC2300

手册， halfpage

160

MDA237

手册， halfpage

160

MDA236

（PF ）

120

（PF ）

120

西塞

科斯

CRSS

VDS （ V）

−5

−10

−15

科斯

CRSS

−20

−25

VDS （ V）

F = 1兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C.

F = 1兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C.

图12中的电容，作为漏极 - 源极的功能

电压; N沟道的典型值。

图13的电容作为漏极 - 源极的功能

电压; P沟道的典型值。

手册， halfpage

MDA242

V DS

(V)

VGS

(V )

手册， halfpage

MDA243

V DS

( V)

V GS

( V)

( 1)

( 2)

(1)

(2 )

19 55

2 06 3

1 95

311

43 0

5 49

6 64

77 3

8 81

9 89

1311

1418

1526

10 97

12 03

1634

17 41

18 49

1639

17 46

18 53

19 60

2 06 7

Q G（ PC）

1 93

308

42 6

5 45

6 64

77 9

8 90

9 99

1319

1426

1533

11 05

12 12

Q G（P C）

= 50 V ;我

= 170毫安;牛逼

AMB

= 25

°C.

(1) V

(2) V

GS 。

−50

V ;我

−115

毫安;牛逼

AMB

= 25

°C.

(1) V

(2) V

GS 。

图14的栅源电压和漏源电压

作为总的栅极电荷的函数;

N沟道的典型值。

图15的栅源电压和漏源

电压作为栅极总电荷的函数;

P沟道的典型值。

1997年10月24日

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