飞利浦半导体
产品数据
单芯片8位微控制器， 10位A / D，
捕捉/比较定时器，高速输出， PWM
80C552/83C552
串口控制寄存器（ S1CON ） - 见表2
S1CON （ D8H ）
CR2
ENS1
STA
申通快递
SI
AA
CR1
CR0
位CR0 ， CR1和CR2确定是工作在主模式下产生的串行时钟频率。
表2.串行时钟速率
位频率（千赫）在f
OSC
CR2
0
0
0
0
1
1
1
1
CR1
0
0
1
1
0
0
1
1
CR0
0
1
0
1
0
1
0
1
6兆赫
23
27
31
37
6.25
50
100
0.24 < 62.5
0 < 255
12兆赫
47
54
63
75
12.5
100
200
0.49 < 62.5
0 < 254
16兆赫
62.5
71
83.3
100
17
133
1
267
1
0.65 < 55.6
0 < 253
24兆赫
2
94
107
1
125
1
150
1
25
200
1
400
1
0.98 < 50.0
0 <251
f
OSC
除以
256
224
192
160
960
120
60
96
×
（ 256 - （重载值定时器1 ） ）
重载值定时器1的模式2 。
注意事项：
1.这些频率超过了我的100kHz时的上限
2
C总线规范，并且可以在一个我不能使用
2
C总线的应用。
2.在f
OSC
= 24 MHz的最大I
2
为100kHz C总线速度不能由于固定分频比率来实现。
绝对最大额定值
1, 2, 3
参数
存储温度范围
在任何其他引脚到V电压
SS
任何单一的I / O引脚的输入，输出直流电流
功耗
（基于封装的热传递的限制，而不是设备的功耗）
等级
-65到+150
-0.5到+6.5
5.0
1.0
单位
°C
V
mA
W
注意事项：
1 ，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或任何条件比在AC和DC电气特性一节中描述的其他功能操作
本规范是不是暗示。
2.本产品带有其内部设备的过度静态的破坏性影响的保护电路设计
费。然而，我们认为，常规采取预防措施，以避免施加大于额定最大值。
3.参数是有效的工作温度范围内，除非另有规定。所有的电压是相对于V
SS
除非另有
指出。
设备的特定连接的阳离子
电源电压（ V）
TYPE
P83(0)C552EBx
P83(0)C552EFx
P83(0)C552EHx
P83(0)C552IBx
P83(0)C552IFx
民
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
最大
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
频率（MHz）
民
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
最大
16
16
16
24
24
温度范围（ ℃）
0至+70
-40至+85
-40到+125
0至+70
-40至+85
2002年9月3日
9
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
