飞利浦半导体
产品数据
低功耗双运算放大器
NE/SA/SE532/
LM258/358/A/2904
DC电气特性
（续）
T
AMB
= 25
°C;
V + = + 5V;除非另有规定。
符号
V
OS
V
OS
I
OS
I
OS
I
BIAS
S
I
B
V
C
CM
CMRR
V
O
OH
V
OL
I
CC
A
VOL
O
PSRR
参数
失调电压
1
漂移
失调电流
漂移
输入电流
2
漂移
共模电压范围
3
共模
共模抑制比
输出电压摆幅
输出电压摆幅
电源电流
大信号
大信号电压增益
电源电压抑制比
放大器对放大器耦合
4
输出电流（源）
I
OUT
输出电流（漏）
测试条件
R
S
= 0
Ω
R
S
= 0
Ω;
温度过高。
R
S
= 0
Ω;
温度过高。
I
IN （+）
– I
IN （ - ）
温度过高。
温度过高。
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
I
IN （+）
还是我
IN （ - ）
;温度过高。
温度过高。
V+ = 30 V
V + = 30 V ;温度过高。
V+ = 30 V
R
L
≥
2 kΩ的; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
10 kΩ的; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
10 kΩ的;温度过高。
R
L
=
∞,
V+ = 30 V
R
L
=
∞
所有放大器; V + = 30 V ;温度过高。
R
L
≥
2 kΩ的; V
OUT
±10
V
V + = 15 V （对于大V
O
摇摆） ;温度过高。
R
S
= 0
Ω
F = 1kHz至20kHz的（输入参考）
V
IN +
= +1 V
DC
; V
IN-
= 0 V
DC
; V+ = 15 V
DC
V
IN +
= +1 V
DC
; V
IN-
= 0 V
DC
; V+ = 15 V
DC
;
温度过高。
V
IN-
= +1 V
DC
,;V
IN +
= 0 V
DC
; V+ = 15 V
DC
V
IN-
= +1 V
DC
; V
IN +
= 0 V
DC
;V+ = 15 V
DC
;
温度过高。
V
IN +
= 0 V; V
IN-
= +1 V
DC
; V
O
- 200毫伏
I
SC
GBW
SR
V
噪音
短路电流
5
差分输入电压
6
单位增益带宽
压摆率
输入噪声电压
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C;
F = 1千赫
1
0.3
40
20
10
10
5
12
25
15
65
100
–120
40
20
20
8
50
40
60
V+
0
0
65
26
27
28
5
0.5
0.6
100
20
1.0
1.2
85
10
45
40
50
V+–1.5
V+–2.0
7
5
LM358A
民
典型值
±2
最大
±3
±5
20
±30
±75
300
100
200
单位
mV
mV
μV/°C
nA
nA
PA / ℃，
nA
nA
PA / ℃，
V
V
dB
V
V
mV
mA
mA
V / MV
V / MV
dB
dB
mA
mA
mA
mA
µA
mA
V
兆赫
V / μs的
纳伏/赫兹÷
注意事项：
1. V
O
≈
1.4 V ，R
S
= 0
Ω
从5 V至30 V V + ;而在整个输入共模范围（ 0 V至±1.5 V） 。
2.输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的，独立的状态
的输出，所以存在着在输入线无负荷变化。
3.输入共模电压或任一输入信号的电压不应超过0.3 V的上端去负
共模电压范围为V + -1.5V，但其中一个或两个输入端可以转到32 V无损坏。
4.由于外部元件的附近，保证接头不通过这些外部元件之间的寄生电容的起源。这
典型地，可以检测这种类型的电容耦合增加在更高的频率。
从输出到V + 5，短路，可能导致过度加热并最终破坏。最大输出电流大约
40毫安独立的V +的幅度。在电源电压超过15 V的值
DC
的，连续的短路可以超过
功耗额定值，导致最终销毁。
6.输入共模电压或任一输入信号的电压不应超过0.3 V的上端去负
共模电压范围为V + -1.5V，但其中一个或两个输入端可以到32 V
DC
而不损坏。
2002年7月12日
5
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
