飞利浦半导体
产品数据
电压比较器
AU211/LM111/211/311/311B
DC电气特性
1, 2, 3, 6
整个温度范围内，除非另有规定。
符号
参数
测试条件
T
AMB
= 25
°C;
R
S
≤
50 kΩ
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
LM111 / 211 V
IN
≤
–5mV;
I
OUT
= 50毫安
LM311 / B V
IN
≤
-10毫伏;
I
OUT
= 50毫安
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
LM111 / 211 V
IN
≥
5毫伏;
V
OUT
= 35 V
LM311 / B V
IN
≥
10毫伏;
V
OUT
= 35 V
T
AMB
= 25
°C,
I
频闪
= 3毫安
(V– = V
GND
= –5 V)
R
S
≤
50 kΩ
AU211
LM111/LM211
民
V
OS
I
OS
I
BIAS
A
V
输入失调电压
3
输入失调电流
3
输入偏置电流
电压增益
响应时间
4
典型值
0.7
4.0
60
200
200
最大
3.0
10
100
民
LM311
典型值
2.0
6.0
100
200
200
最大
7.5
50
250
民
LM311B
典型值
2.0
6
100
200
500
最大
7.5
25
200
mV
nA
nA
V / MV
ns
单位
V
SAT
饱和电压
0.75
1.5
0.75
1.5
0.75
1.5
V
I
BAL / STR
频闪对当前
3.0
3.0
3.0
mA
I
泄漏
输出漏电流
6
0.2
10
0.2
50
0.2
50
nA
V
OS
I
OS
I
BIAS
V
IN
输入失调电压
3
输入失调电流
3
输入偏置电流
输入电压范围
4.0
20
150
13.8
to
–14.7
13.8
to
–14.7
10
70
300
–14.5
13.0
V–
+0.5
10
50
250
V+
–1.5
mV
nA
nA
V
V =
±15
V（引脚5月7日
到5 V ）
V+
≥
4.5 V, V– = 0 V
LM111 / 211 V
IN
≤
-6毫伏;
I
SINK
≤
8毫安
LM311 / B V
IN
≤
-10毫伏;
I
SINK
≤
8毫安
V
IN
≥
5毫伏;
V
OUT
= 35 V
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
–14.5
13.0
V
OL
饱和电压
6
0.23
0.4
0.23
0.4
0.23
0.4
V
I
OH
I
CC
I
EE
输出漏电流
正电源电流
负电源电压
0.1
5.1
4.1
0.5
6.0
5.0
5.1
4.1
7.5
5.0
1.6
3.5
µA
mA
mA
注意事项：
1.本等级适用于
±15
V电源。正输入电压限制为30伏以上的负电源。负输入电压限制为
等于低于正电源与负电源电压或30V，以较短者为准。
2.这些规范适用于V
S
=
±15
V和0
°C
＆ LT ;吨
AMB
< 70
°C
除非另有规定。与LM211 ，然而，所有的温度
规格被限制为-25
°C ≤
T
AMB
≤
+85
°C,
为AU211仅限于-40
°C
＆ LT ;吨
AMB
< 125
°C,
并为LM111被限制为
–55
°C
＆ LT ;吨
AMB
< 125
°C.
失调电压，失调电流和偏置电流参数适用于任何电源电压从5 V单
提供最高
±15
V电源。
3.偏移电压和偏移给定的电流，以任一电源以1mA的电压范围内驱动输出所需的最大值
负载。因此，这些参数定义一个错误频带和考虑到的电压增益和输入阻抗最坏的情况下的效果。
4.指定的响应时间是用于与5毫伏过驱动一个100毫伏的输入步骤。
5.不要短暂的闪光引脚接地;它应该是当前以3mA驱动到5毫安。
6. LM311B ，所有的参数都在V + = 3 V
±10%;
V- = GND = 0V。
2003年09月30
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
