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IRFZ48N 参数 Datasheet PDF下载

IRFZ48N图片预览
型号: IRFZ48N
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内容描述: N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 [N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 68 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
的TrenchMOS
TM
晶体管
概述
N沟道增强模式
标准级场效应功率
使用晶体管在一个塑料外壳
“沟”技术。该装置
具有非常低的导通电阻
并拥有完整的齐纳二极管捐赠
ESD保护高达2kV的。这是
拟用于开关模式使用
电源和通用
开关应用。
IRFZ48N
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS ( ON)
参数
漏源电压
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V
马克斯。
55
64
140
175
16
单位
V
A
W
˚C
mΩ
钉扎 - TO220AB
1
2
3
TAB
来源
描述
引脚配置
TAB
符号
d
g
s
1 23
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲峰值)
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 kΩ
-
T
mb
= 25 ˚C
T
mb
= 100 ˚C
T
mb
= 25 ˚C
T
mb
= 25 ˚C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
20
64
45
210
140
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
˚C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压,所有引脚
条件
人体模型
( 100 pF的, 1.5千欧)
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
-
在自由空气
典型值。
-
60
马克斯。
1.1
-
单位
K / W
K / W
1999年2月
1
启1.000