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    IRF830 参数 Datasheet PDF下载

    IRF830图片预览
    型号： IRF830
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOS晶体管额定雪崩能量 [PowerMOS transistor Avalanche energy rated]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 60 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF830的Datasheet PDF文件第7页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    功率MOS晶体管
    额定雪崩能量
    机械数据
    塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3引脚TO -220
    SOT78
    IRF830
    E
    P
    A
    A1
    q
    D1
    D
    L2
    (1)
    L1
    Q
    L
    b1
    1
    2
    3
    b
    c
    e
    e
    0
    5
    规模
    10 mm
    外形尺寸（mm是原始尺寸）
    单位
    mm
    A
    4.5
    4.1
    A1
    1.39
    1.27
    b
    0.9
    0.7
    b1
    1.3
    1.0
    c
    0.7
    0.4
    D
    15.8
    15.2
    D1
    6.4
    5.9
    E
    10.3
    9.7
    e
    2.54
    L
    15.0
    13.5
    L1
    3.30
    2.79
    L2
    马克斯。
    3.0
    (1)
    P
    3.8
    3.6
    q
    3.0
    2.7
    Q
    2.6
    2.2
    记
    1.终端在该区域不镀锡。
    概要
    VERSION
    SOT78
    参考文献：
    IEC
    JEDEC
    TO-220
    EIAJ
    欧洲
    投影
    发行日期
    97-06-11
    图19 。 SOT78 （ TO220AB ） ; 2脚连接安装基座（净重： 2G）
    笔记
    1.本产品在防静电包装提供。栅源输入必须加以保护，防止静电
    运输或装卸过程中排出。
    2.请参阅安装说明SOT78 （ TO220AB ）封装。
    3.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
    1999年3月
    6
    启1.000

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