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    IRF640 参数 Datasheet PDF下载

    IRF640图片预览
    型号： IRF640
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道晶体管的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 97 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号IRF640的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF640的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF640的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF640的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF640的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF640的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF640的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF640的Datasheet PDF文件第9页  
    飞利浦半导体
    产品speci fi cation
    N沟道的TrenchMOS ™晶体管
    IRF640 ， IRF640S
    雪崩能量极限值
    按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
    符号参数
    E
    AS
    非重复性雪崩
    能源
    峰值不重复
    雪崩电流
    条件
    非钳位感性负载时，我
    AS
    = 6.2 A;
    t
    p
    = 720
    µs;
    T
    j
    雪崩= 25之前;
    V
    DD
    ≤
    25 V ; ř
    GS
    = 50
    Ω;
    V
    GS
    = 10 V ;参考
    图14
    分钟。
    -
    马克斯。
    580
    单位
    mJ
    I
    AS
    -
    16
    A
    热阻
    符号参数
    R
    日J- MB
    R
    日J-一
    热阻结
    安装基座
    热阻结
    到环境
    条件
    分钟。
    -
    SOT78封装，在自由空气
    SOT404封装，PCB安装，最小值
    脚印
    -
    -
    典型值。马克斯。单位
    -
    60
    50
    1.1
    -
    -
    K / W
    K / W
    K / W
    电气特性
    T
    j
    = 25 ° C除非另有说明
    符号参数
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TO ）
    R
    DS （ ON）
    I
    GSS
    I
    DSS
    Q
    G（ TOT ）
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D ON
    t
    r
    t
    D OFF
    t
    f
    L
    d
    L
    d
    L
    s
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    漏源击穿
    电压
    栅极阈值电压
    漏极 - 源极导通状态
    阻力
    门源漏电流
    零栅压漏
    当前
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极（米勒）电荷
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    内部排水电感
    内部排水电感
    内部源极电感
    输入电容
    输出电容
    反馈电容
    条件
    V
    GS
    = 0 V ;我
    D
    = 0.25毫安;
    T
    j
    = -55˚C
    V
    DS
    = V
    GS
    ; I
    D
    = 1毫安
    T
    j
    = 175˚C
    T
    j
    = -55˚C
    V
    GS
    = 10 V ;我
    D
    = 8 A
    V
    GS
    =
    ±
    20 V; V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = 200 V; V
    GS
    = 0 V;
    V
    DS
    = 160 V; V
    GS
    = 0 V ;牛逼
    j
    = 175˚C
    I
    D
    = 18 A; V
    DD
    = 160 V; V
    GS
    = 10 V
    T
    j
    = 175˚C
    分钟。
    200
    178
    2
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。马克斯。单位
    -
    -
    3
    -
    130
    -
    10
    0.05
    -
    -
    -
    -
    12
    45
    54
    38
    3.5
    4.5
    7.5
    1850
    170
    91
    -
    -
    4
    -
    6
    180
    522
    100
    10
    250
    63
    12
    35
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    V
    V
    V
    V
    mΩ
    mΩ
    nA
    µA
    µA
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    nH
    nH
    nH
    pF
    pF
    pF
    V
    DD
    ≤ 100 V ; ř
    D
    = 5.6
    Ω;
    V
    GS
    = 10 V ; ř
    G
    = 5.6
    Ω
    阻性负载
    测量标签，模具中心
    从测得的漏导致的模具中心
    （ SOT78封装）
    从源铅源测量
    焊盘
    V
    GS
    = 0 V; V
    DS
    = 25 V ; F = 1 MHz的
    1999年8月
    2
    启1.100

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