飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS ™晶体管
IRF540 ， IRF540S
特点
•
“海沟”
技术
•低通态电阻
•快速开关
•低热阻
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 100 V
I
D
= 23 A
g
R
DS （ ON）
≤
77 mΩ
s
概述
N沟道增强型场效应功率在一个塑料封套使用“地沟”技术的晶体管。
应用： -
•直流以直流转换器
•开关模式电源
• T.V.和电脑显示器电源
该IRF540是在SOT78 （ TO220AB ）传统的含铅封装。
该IRF540S是在SOT404 （提供ð
2
PAK ）表面贴装封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
门
漏
1
来源
漏
描述
SOT78 （ TO220AB ）
TAB
SOT404 （D
2
PAK ）
TAB
2
1 23
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ; ř
GS
= 20 kΩ
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 ˚C
T
mb
= 25 ˚C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
100
100
±
20
23
16
92
100
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
˚C
1
这是无法接受的连接销：该SOT404包2中
1999年8月
1
启1.100
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
