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IRF530N 参数 Datasheet PDF下载

IRF530N图片预览
型号: IRF530N
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内容描述: N沟道晶体管的TrenchMOS [N-channel TrenchMOS transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 99 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS ™晶体管
IRF530N
特点
“海沟”
技术
•低通态电阻
•快速开关
•低热阻
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 100 V
I
D
= 17 A
g
R
DS ( ON)
110 mΩ
s
概述
N沟道增强模式
在场效应功率晶体管
塑料封套使用“地沟”
技术。
应用: -
•直流以直流转换器
•开关模式电源
该IRF530N在所提供的
SOT78 ( TO220AB )常规
引线封装。
钉扎
1
2
3
TAB
来源
描述
SOT78 ( TO220AB )
TAB
1 2 3
来源
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ; ř
GS
= 20 kΩ
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
mb
= 25 ˚C
T
mb
= 25 ˚C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
100
100
±
20
17
12
68
79
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
˚C
雪崩能量极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
符号参数
E
AS
非重复性雪崩
能源
峰值不重复
雪崩电流
条件
非钳位感性负载时,我
AS
= 7.8 A;
t
p
= 300
µs;
T
j
雪崩= 25之前;
V
DD
25 V ; ř
GS
= 50
Ω;
V
GS
= 10 V ;参考
图: 14
分钟。
-
马克斯。
150
单位
mJ
I
AS
-
17
A
1999年8月
1
启1.100