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型号: HEF4094BT
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内容描述: 8级移位 - 和 - 存储寄存器 [8-stage shift-and-store register]
分类和应用: 移位寄存器存储触发器逻辑集成电路光电二极管输出元件PC
文件页数/大小: 20 页 / 204 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
HEF4094B
8级移位 - 和 - 存储寄存器
表7中。
动态特性
- 续
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
℃;测试电路见
图11 ;
除非另有规定ED 。
符号
t
PLZ
参数
低到OFF状态
传播延迟
条件
OE至QPn ;
SEE
V
DD
5V
10 V
15 V
t
su
建立时间
D钮CP ;
SEE
5V
10 V
15 V
t
h
保持时间
D钮CP ;
SEE
5V
10 V
15 V
t
W
脉冲宽度
最低低5 V
时钟脉冲;
10 V
SEE
15 V
最小高5 V
选通脉冲;
10 V
SEE
15 V
f
最大
最大频率
SEE
5V
10 V
15 V
[1]
外推公式
-
-
-
60
20
15
+5
20
20
60
30
24
40
30
24
5
11
14
典型值
80
40
30
30
10
5
15
5
5
30
15
12
20
15
12
10
22
28
最大
160
80
60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
的传播延迟和转换时间的典型值是从所示的外推法公式计算(三
L
单位为pF ) 。
表8 。
动态功耗
V
SS
= 0 V ;牛逼
r
= t
f
20纳秒;牛逼
AMB
= 25
C.
符号
P
D
参数
动态功耗
耗散
V
DD
5V
10 V
15 V
典型公式P
D
(W)
P
D
= 2100
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
P
D
= 9700
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
P
D
= 26000
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
其中:
f
i
=在MHz的输入频率,
f
o
=以MHz为单位的输出频率,
C
L
=以pF输出负载电容,
V
DD
=在V电源电压,
(f
o
C
L
) =的输出的总和。
HEF4094B
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牧师11日 - 2013年8月29日
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