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HEF4011BDB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HEF4011BDB
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内容描述: 四路2输入与非门 [Quadruple 2-input NAND gate]
分类和应用: 栅极逻辑集成电路
文件页数/大小: 3 页 / 29 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入与非门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
O
n
输出转换时间
前高后低
5
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PHL
; t
PLH
符号
典型值
55
25
20
60
30
20
60
30
20
最大
110
45
35
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
HEF4011B
典型的外推
公式
28纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
14纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
12纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
1300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
6000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
20 100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
3