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HEF40106BT-T 参数 Datasheet PDF下载

HEF40106BT-T图片预览
型号: HEF40106BT-T
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内容描述: [IC 4000/14000/40000 SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDSO14, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT108-1, SOP-14, Gate]
分类和应用: 触发器
文件页数/大小: 7 页 / 89 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
六角反相施密特触发器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
90
35
30
75
35
30
60
30
20
60
30
20
180
70
60
150
70
60
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值。
马克斯。
HEF40106B
典型的外推
公式
63纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
24纳秒
+
( 0,23 NS / PF )
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
48纳秒
+
( 0,55 NS / PF )C
L
24纳秒
+
( 0,23 NS / PF )C
L
22纳秒
+
( 0.16纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
10纳秒
+
( 1,0 NS / PF )C
L
9 NS
+
( 0.42纳秒/ PF )C
L
6纳秒
+
( 0.28纳秒/ PF )C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包(P)的
5
10
15
典型公式P( μW )
2 300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
9 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
20 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 (兆赫)
f
o
=输出频率。 (兆赫)
C
L
=负载电容(PF )
(f
o
C
L
) =产出的总和
V
DD
- 电源电压( V)
1995年1月
4