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BT151-500R 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BT151-500R
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内容描述: 晶闸管 [Thyristors]
分类和应用: 栅极局域网
文件页数/大小: 6 页 / 47 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
BT151系列
15
P合计/ W
传导
30
60
90
120
180
形式
因素
BT151
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
TMB (最大值) / C
a = 1.57
2.2
1.9
105.5
120
100
ITSM / A
BT151
IT
ITSM
10
2.8
4
112
80
60
时间
T
TJ初始= 25℃最高
5
118.5
40
20
0
0
1
2
3
4
5
IT ( AV ) / A
6
7
125
8
0
1
10
100
半周期在50Hz数
1000
图1 。最大通态损耗,P
合计
,与
平均通态电流I
T( AV )
,其中,
A =外形= I
T( RMS )
/ I
T( AV )
.
BT151
图4 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,对周期数,对于
正弦电流, F = 50赫兹。
1000
ITSM / A
25
IT ( RMS ) / A
BT151
20
dI
T
/ dt限制
100
15
10
IT
T
我TSM
时间
5
TJ初始= 25℃最高
10
10us
100us
T / S
1ms
10ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,与脉冲宽度t
p
正弦电流,T
p
10ms.
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T( RMS )
,与持续激增,为正弦
电流, F = 50赫兹;牛逼
mb
109˚C.
VGT ( TJ )
VGT ( 25℃ )
15
IT ( RMS ) / A
BT151
1.6
109 C
BT151
1.4
1.2
1
10
5
0.8
0.6
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大均方根电流I
T( RMS )
,
与安装基座温度T
mb
.
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
1997年9月
3
启1.200