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BT137-600E 参数 Datasheet PDF下载

BT137-600E图片预览
型号: BT137-600E
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内容描述: 三端双向可控硅敏感栅 [Triacs sensitive gate]
分类和应用: 可控硅
文件页数/大小: 6 页 / 50 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
敏感栅
BT137 E系列
12
10
P合计/ W
BT137
TMB (最大值) / C
101
= 180
120
105
109
10
IT ( RMS ) / A
BT137
1
90
60
30
8
102 C
8
6
4
2
0
6
113
4
117
121
125
10
2
0
2
4
6
IT ( RMS ) / A
8
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗,P
合计
,与有效值
通态电流I
T( RMS )
,其中,
α
=导通角。
BT137
BT137
图4 。允许的最大均方根电流I
T( RMS )
,
与安装基座温度T
mb
.
BT137
1000
ITSM / A
IT
我TSM
时间
25
IT ( RMS ) / A
20
TJ初始= 25℃最高
15
100
dI
T
/ dt限制
10
T2- G +象限
5
10
10us
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,与脉冲宽度t
p
正弦电流,T
p
20ms.
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T( RMS )
,与持续激增,为正弦
电流, F = 50赫兹;牛逼
mb
102˚C.
VGT ( TJ )
VGT ( 25℃ )
80
70
60
50
40
30
ITSM / A
BT137
IT
T
ITSM
时间
1.6
1.4
1.2
1
0.8
BT136
TJ初始= 25℃最高
20
10
0.6
0.4
-50
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
,对周期数,对于
正弦电流, F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
(25℃ ) ,与结温度T
j
.
1997年9月
3
启1.200