飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
逻辑电平
概述
玻璃钝化，敏感栅
在一个塑料外壳端双向可控硅开关，意
对于一般用途
双向开关和相位
控制应用。这些设备
旨在被直接连接
微控制器，逻辑综合
电路及低功率门
触发电路。
BT131系列
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BT131-
重复峰值断态电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
MAX 。 MAX 。 UNIT
500
500
1
16
600
600
1
16
V
A
A
钉扎 - TO92
针
1
2
3
描述
主终端2
引脚配置
符号
T2
门
主终端1
3 2 1
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
全正弦波;牛逼
领导
≤51
˚C
全正弦波;牛逼
j
前= 25〜
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 1.5 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
500
1
1
16
17.6
1.28
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
马克斯。
-600
600
1
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
˚C
˚C
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率不应超过3 A / μs的。
1998年4月
1
启1.000
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
