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型号: BSS138BK
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内容描述: 60 V , 360毫安N沟道沟槽MOSFET [60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 16 页 / 865 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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SO
T2
BSS138BK
60 V , 360毫安N沟道沟槽MOSFET
第1版 - 2011年8月4日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强型场效应晶体管( FET ),采用小型SOT23
( TO- 236AB )表面贴装器件( SMD)采用沟槽MOSFET塑料包装
技术。
3
1.2特点和优点
逻辑电平兼容
非常快速的切换
沟槽MOSFET技术
ESD保护可达1.5千伏
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低端loadswitch
开关电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 350毫安;
T
j
= 25 °C
条件
T
j
= 25 °C
-
-20
-
-
典型值
-
-
-
1
最大
60
20
360
1.6
单位
V
V
mA
静态特性
[1]
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫排水1厘米
2
.