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BS170图片预览
型号: BS170
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内容描述: N沟道垂直D- MOS晶体管 [N-channel vertical D-MOS transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 52 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道垂直D- MOS晶体管
描述
N沟道增强模式
在TO-92垂直的D- MOS晶体管
变包络和打算用于
在继电器,高速和
线路变压器驱动程序。
特点
非常低R
DS ( ON)
.
直接连接C-MOS , TTL ,
等等
高速开关。
无二次击穿。
钉扎 - TO- 92 VARIANT
1 - 来源
2 - 门
3 =漏极
引脚配置
快速参考数据
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
总功率耗散高达至T
AMB
= 25
°C
结温
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V ;我
D
= 200毫安
R
DS ( ON)
马克斯。
V
DS
V
GS
I
D
P
合计
T
j
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
BS170
60 V
15 V
500毫安
830毫瓦
150
°C
5
手册, halfpage
d
1
2
3
g
MAM146
s
注意:
各引脚配置。
Fig.1简化外形和符号。
1995年4月
2