飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 7 GHz的宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C
（除非另有规定ED ） 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极漏电流
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
最大单边功率增益;
注1
条件
I
C
= 0.1毫安;我
E
= 0
I
C
= 10毫安;我
B
= 0
I
E
= 0.1毫安;我
C
= 0
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 70毫安; V
CE
= 8 V
I
B
= I
b
= 0; V
CE
= 12 V;
F = 1 MHz的
I
C
= 70毫安; V
CE
= 12 V;
F = 1 GHz的
I
C
= 70毫安; V
CE
= 12 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 70毫安; V
CE
= 12 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
s
21
V
o
笔记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零。 ğ
UM
2
BFG591
分钟。
−
−
−
−
60
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
典型值。
马克斯。
20
15
3
100
250
−
−
−
−
−
−
单位
V
V
V
nA
pF
GHz的
dB
dB
dB
mV
90
0.7
7
13
7.5
12
700
插入功率增益
输出电压
I
C
= 70毫安; V
CE
= 12 V;
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
注2
2. d
im
= 60分贝（ DIN45004B ） ;
V
p
= V
o;
V
q
= V
o
−6
分贝; V
r
= V
o
−6
分贝;
f
p
= 795.25兆赫; ˚F
q
= 803.25兆赫; ˚F
r
= 803.25兆赫;在f测
第（p +的q r）的
= 793.25兆赫。
s
21 2
=
10日志------------------------------------------------ ------------分贝。
(
1
–
s
11 2
) (
1
–
s
22 2
)
1995年9月04
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
