飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP功率晶体管
特点
•
大电流（最大1.5 A）
•
低电压（最大80 V） 。
应用
•
通用功率应用，如驱动阶段
在高保真放大器和电视电路。
描述
PNP功率晶体管采用TO -126 ; SOT32塑料
封装。 NPN补充： BD135 ， BD137 BD139和。
3
钉扎
针
1
2
BD136 ; BD138 ; BD140
描述
辐射源
集电极，连接到的金属部分
安装面
BASE
手册， halfpage
2
3
1
1
2
3
顶视图
MAM272
Fig.1
简化外形（ TO- 126 ; SOT32 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BD136
BD138
BD140
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD136
BD138
BD140
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
mb
≤
70
°C
集电极开路
开基
−
−
−
−
−
−
−
−
−65
−
−65
−45
−60
−80
−5
−1.5
−2
−1
8
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
−
−
−
−45
−60
−100
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月12
2
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
