飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
日J- MB
记
1.参考TO- 126 ; SOT32标准安装条件。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻安装基座
BD135 ; BD137 ; BD139
条件
注1
价值
100
10
单位
K / W
K / W
分钟。
−
−
−
40
63
25
63
100
−
−
−
−
典型值。
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
190
1.3
马克斯。
100
10
100
−
250
−
160
250
0.5
1
−
1.6
单位
nA
µA
nA
I
E
= 0; V
CB
= 30 V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
V
CE
= 2 V ; （见图2）
I
C
= 5毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
直流电流增益
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V;
BD135-10 ; BD137-10 ; BD139-10 （见图2）
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安;
V
CE
= 2 V
BD135-16 ; BD137-16 ; BD139-16
V
CESAT
V
BE
f
T
h
FE1
-----------
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
V
V
兆赫
1999年04月12
3
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
