飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
−30
V
BCX51 ; BCX52 ; BCX53
分钟。
−
−
−
40
63
25
63
100
典型值。马克斯。单位
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
50
−100
−10
−100
−
250
−
160
250
−500
−1
−
mV
V
兆赫
nA
µA
nA
I
E
= 0; V
CB
=
−30
V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
=
−5
V
V
CE
=
−2
V ;见图2
I
C
=
−5
mA
I
C
=
−150
mA
I
C
=
−500
mA
直流电流增益
BCX51-10 ; BCX52-10 ; BCX53-10
BCX51-16 ; BCX52-16 ; BCX53-16
V
CESAT
V
BE
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
I
C
=
−500
毫安;我
B
=
−50
mA
I
C
=
−500
毫安; V
CE
=
−2
V
I
C
=
−150
毫安; V
CE
=
−2
V ;见图2
−
−
I
C
=
−10
毫安; V
CE
=
−5
V ; F = 100 MHz的
−
手册，全页宽
160
MBH730
的hFE
120
VCE =
−2
V
80
40
0
−10
−1
−1
−10
−10
2
−10
3
IC （MA ）
−10
4
图2直流电流增益;典型值。
1999年4月19日
4
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
