BCP69-16 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BCP69-16
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内容描述：	PNP中功率晶体管 [PNP medium power transistor]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	8 页 / 49 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP中功率晶体管

热特性

符号

日J-一

第j个-S

记

参数

从结点到环境的热阻

热阻结到焊接点

条件

注1

价值

BCP69

单位

K / W

1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米

对于其他安装条件，请参阅

“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑

手册“ 。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

EBO

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

= 0; V

−25

= 0; V

−25

V ;牛逼

= 150

°C

= 0; V

−5

毫安; V

−10

−500

毫安; V

−1

V ;见图2

−1

A; V

−1

V ;见图2

直流电流增益

BCP69-16

BCP69-25

CESAT

FE1

-----------

FE2

集电极 - 发射极饱和电压I

−1

A;我

−100

基射极电压

集电极电容

跃迁频率

的直流电流增益比

互补对

−5

毫安; V

−10

−1

A; V

−1

= i

= 0; V

−5

V ; F = 1 MHz的

I



= 0.5 A;

V



= 1 V

−500

毫安; V

−1

V ;见图2

100

160

−

−620

−

250

375

−500

−

−1

−

1.6

兆赫

分钟。

−

典型值。

−

MAX 。 UNIT

−100

−10

−100

−

375

−

µA

−10

毫安; V

−5

V ; F = 100 MHz的40

1999年4月08

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