BCP56-16 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BCP56-16
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内容描述：	NPN型中功率晶体管 [NPN medium power transistors]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小：	8 页 / 47 K
品牌：	PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN型中功率晶体管

热特性

符号

日J-一

第j个-S

记

参数

从结点到环境的热阻

热阻结到焊接点

BCP54 ; BCP55 ; BCP56

条件

注1

价值

单位

K / W

1.装置安装在印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米

对于其他安装条件，请参阅

“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑

手册“ 。

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

EBO

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

= 0; V

= 30 V

= 0; V

= 30 V ;牛逼

= 125

°C

= 0; V

= 5 V

= 5毫安; V

= 2 V

= 150毫安; V

= 2 V

= 500毫安; V

= 2 V

直流电流增益

BCP55-10 ; 56-10

BCP54-16 ; 55-16 ; 56-16

CESAT

FE1

-----------

FE2

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

的直流电流增益比

互补对

= 0.5 A;我

= 50毫安

= 0.5 A; V

= 2 V

= 10毫安; V

= 5 V ; F = 100 MHz的

I



= 150毫安;

V



= 2 V

= 150毫安; V

= 2 V

100

−

分钟。

−

典型值。

−

130

−

160

250

500

−

1.6

兆赫

马克斯。

100

−

250

−

单位

µA

1999年4月08

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