欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BC847C 参数 Datasheet PDF下载

BC847C图片预览
型号: BC847C
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 45 V , 100毫安NPN通用晶体管 [45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 18 页 / 131 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号BC847C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC847C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC847C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC847C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BC847C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BC847C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BC847C的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BC847C的Datasheet PDF文件第10页  
恩智浦半导体
BC847系列
45 V , 100毫安NPN通用晶体管
400
h
FE
(1)
mgt723
1200
V
BE
(毫伏)
1000
(1)
mgt724
300
800
(2)
200
(2)
600
(3)
(3)
400
100
200
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(MA )
10
3
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(MA )
10
3
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 150
C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
=
55 C
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
=
55 C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
= 150
C
图1 。
A组:直流电流增益的函数
集电极电流;典型值
10
3
mgt725
图2 。
A组:基极 - 发射极电压的函数
集电极电流;典型值
mgt726
1200
V
BESAT
(毫伏)
1000
(1)
V
CESAT
(毫伏)
800
(2)
10
2
(1)
(2)
(3)
600
(3)
400
200
10
10
−1
1
10
10
2
I
C
(MA )
10
3
0
10
−1
1
10
10
2
I
C
(MA )
10
3
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 150
C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
=
55 C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
AMB
=
55 C
(2) T
AMB
= 25
C
(3) T
AMB
= 150
C
图3 。
A组:集电极 - 发射极饱和电压
作为集电极电流的函数;典型
图4 。
A组:基射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
BC847_SER
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
© NXP B.V. 2012保留所有权利。
产品数据表
启8 - 二〇一二年八月二十〇日
6 18